
截至6月9日10点8分,上证指数涨0.26%,深证成指涨1.19%,创业板指涨1.82%。电子化学品、PCB概念、元件等板块涨幅居前。
配资网站ETF方面,科创芯片ETF易方达(589130)涨2.45%,成分股杰华特(688141.SH)涨停,富创精密(688409.SH)涨超10%,东芯股份(688110.SH)、沪硅产业(688126.SH)、南芯科技(688484.SH)、纳芯微(688052.SH)、仕佳光子(688313.SH)涨超5%,华润微(688396.SH)、澜起科技(688008.SH)、乐鑫科技(688018.SH)等上涨。
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消息面上,英伟达CEO黄仁勋访韩与SK海力士达成数千亿美元长期HBM供货协议,确认AI算力及HBM紧缺周期将延续数年。三星、SK海力士、美光同步推进先进封装与晶圆厂扩产,带动半导体工程、设备及耗材全链条需求释放。
华泰证券表示,SemiAnalysis于6月4日报告指出,英伟达将计划于3Q26开售的新一代AI服务器VeraRubinNVL72的CPU侧内存用量减半。尽管报告说明该调整由三大原厂存储供给紧张所驱动,仍引发投资人对“AI存储需求见顶”的担忧,6月5日,美光、闪迪、西部数据、希捷等美股存储板块普跌(闪迪-11.2%、美光-9.5%、西部数据-8.5%、希捷-6.6%)。基于对相关报告的分析,我们认为:1)降配本质上是供给端硬约束下原厂产能配给的“果”,而非算力需求走弱的“因”,若降配,直接影响相当于2026/2027年全球DRAM需求分别下降约1.6%/4.2%;2)若降规属实,我们仍预计2027年存储供需缺口降规前约-7%、降规后约-3%,存储上行周期不改;3)我们认为短期回调提供高拥挤交易再平衡良机,继续看好SK海力士在HBM保持份额领先、三星凭IDM一体化能力在HBM4扩大份额。
科创芯片ETF易方达(589130)一键布局科创板芯片产业龙头短线题材轮动,成长性优势凸显。
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